三星豪語 2027量產1.4奈米

三星豪語 2027量產1.4奈米
酒神

臺積電及三星晶圓代工之技術比較

韓國三星電子在年度晶圓代工論壇宣佈,預計2025年2奈米將進入量產,2027年跨入1.4奈米,且先進製程產能至2027年將擴增2倍,包括高效能運算(HPC)、車用電子等非手機應用將佔整體產品組合的50%以上。

業內指出,三星晶圓代工技術藍圖時間表與臺積電相近,臺積電預計2025年2奈米開始量產,2027年進入下一代製程。

三星晶圓代工日前宣佈首款採用環繞閘極(GAA)電晶體架構的3奈米成功量產,並傳出正與高通、超微等大廠洽談合作,而未來技術推進將透過優化GAA架構技術,在2025年推出2奈米制程,2027年推出1.4奈米制程。

波动率明显下滑 台股观望浓厚

隨着小晶片(chiplet)設計及異質晶片整合的快速發展,三星宣佈將加速2.5D/3D異質整合先進封裝技術推進,其中包括採用微凸塊(micro bump)製程的3D先進封裝X-Cube會在2024年進入量產,無凸塊製程X-Cube先進封裝技術會在2026年推出。

三星晶圓代工計劃鎖定包括HPC、車用、5G、物聯網(IoT)等非手機相關應用市場,預期至2027年非手機應用將佔整體產品組合的50%以上,除了會針對手機及HPC運算推出強化版GAA架構3奈米制程,今後還會針對HPC及車用領域推出4奈米特殊製程以滿足客戶強勁需求。

在車用晶片部份,三星已經量產嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)的28奈米制程,2024年會推進至eNVM的14奈米制程,未來會再微縮至8奈米。再者,三星已完成14奈米及8奈米射頻(RF)製程量產,5奈米RF製程已展開研發。

疯狂山脉(日本)

三星晶圓代工宣佈到2027年先進製程產能將增加2倍,位於德州泰勒(Taylor)的晶圓廠已進入建廠階段。三星表示,在全球共擁有5個生產基地,分別位於美國德州奧斯汀(Austin)及泰勒,以及位於韓國器興(Giheung)、華城(Hwaseong)、平澤(Pyeongtaek)。

面對全球總體經濟不確定性,三星晶圓代工說明產能投資將採用Shell-First策略,亦即先完成晶圓廠無塵室的興建,之後再依市況進行晶圓廠設備安裝,以維持擴產的彈性並能符合市場實際需求變動。

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